化学机械抛光（CMP）是用于半导体制造中晶圆表面抛光的一种工艺。它使用含有纳米颗粒和功能性化学品的浆料。二氧化铈（CeO₂）颗粒常用在CMP 浆料中，浆料中这些颗粒的粒径影响重大。工作（或平均）尺寸范围内的颗粒能够去除目标物，但超过工作尺寸范围的较大颗粒可能刮擦或凿坏晶圆表面，导致机械损伤，进而降低半导体成品良率。少量较大颗粒即可造成损伤，因此在使用之前表征CMP 浆料混合物和磨料原料以确定大颗粒数量或浓度（LPC）是非常有必要的。LPC 结果可用于分析为什么一些浆料样品比其他的更容易造成缺陷，以及哪些磨料原料批次更适合用于CMP。对粒径分布进行详细的分析对于磨料制造也具有重要意义，因为它有助于优化降低LPC 的工艺，并且可以精确地比较去除LPC 的精制技术。

 

    相比传统颗粒分析技术，SP-ICP-MS能够在更短时间内确定低颗粒浓度。此外，SP-ICP-MS对特定金属类型颗粒具有选择性，因此粒径结果不受浆料中的化学组分或其他元素组成颗粒的影响。本项研究探讨了在平均粒径（MPS）基础上，使用SP-ICP-MS量化LPC的应用。