SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的预认证功率组件，符合严格的赛米控 质量测试和当前环境标准。平台设计经过优化，可为高至兆瓦级的强大整流器和交流...

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SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的预认证功率组件，符合严格的赛米控 质量测试和当前环境标准。平台设计经过优化，可为高至兆瓦级的强大整流器和交流...

SEMISTACK CLASSIC系列提供便于集成的预认证功率组件，符合严格的赛米控 质量测试和当前环境标准。平台设计经过优化，可为高至兆瓦级的强大整流器和交流...

肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳...

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间...

除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间...

肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳...

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏...

肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易...

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的...

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不...

快恢复二极管与肖特基二极管相比，其耐压值要高得多。它主要用作高速整流元件，在开关电源和逆变电源中作整流一极管，以降低关断损耗，提高效率和减小噪声。三社快恢复二极...

快速恢复二极管也常用普通二极管的图形符号来表示，用文字说明或在型号上予以区别。快速恢复二极管与普通二极管相似，但制造工艺与普通一极管有所不同。在靠近PN结处的掺...

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管...

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管...

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管...

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管...

超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管...

快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降...