Czochralski 法(直拉法)是半导体工业中用于生长高纯度单晶硅(或其他单晶材料)的核心工艺。该方法由波兰科学家 Jan Czochralski 于 1916 年发明,通过晶体提拉从熔融材料中生长出单晶。
在直拉工艺中,籽晶轴会以每分钟 0.5 - 2 mm 的可控速度向上拉伸,在提拉的过程中,由于温度呈梯度下降,熔融硅会在 1410 - 1420 °C 时(低于硅的熔点),在相变界面凝固成固态硅。通过精确控制拉伸的速度和温度,生长出的晶体可达到所需的直径。整个拉伸过程需要恒定的温度控制,可能需要长达三天的时间。
在此工艺中,水作为温控介质,对生长炉进行冷却,LAUDA 可以精确控制晶体生长中的冷却速度,帮助客户最大限度地减少晶体缺陷,提高硅锭质量。同时,LAUDA 循环冷水机的可靠性对整个工艺至关重要,我们的 TCU 组件在设计上即有较长的使用寿命,可以在更长的时间内连续不间断运行。
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